Superempfindlicher 3D-Bildsensor erstellt
Auf einer Konferenz über Halbleiterchips (ISSCC) sprachen Spezialisten des Massachusetts Institute of Technology über einen Bildsensor, der mithilfe der CMOS-Technologie unter Verwendung der volumetrischen Layouttechnologie hergestellt wurde.
Das Produkt, das gemäß den Normen von 0,35 Mikrometern hergestellt wurde, hat eine Auflösung von 1024 x 1024 Pixel (1 Megapixel). Forscher argumentieren, dass solche Produkte zu Arrays kombiniert werden können, um Sensoren mit höherer Auflösung zu erhalten. Zu den genannten Anwendungsbereichen zählen insbesondere Nachrichtendienste und Sicherheitssysteme.
Die Volumenstruktur des Sensors besteht aus sieben Schichten, die durch Zwischenschichtbindungen miteinander verbunden sind. Tatsächlich befinden sich die lichtempfindlichen Elemente, die Fotodioden sind, in der ersten Schicht. Durch Entfernen aller anderen Komponenten aus dieser Ebene konnten die Entwickler einen Füllfaktor für die nutzbare Fläche von bis zu 100% bereitstellen. Die zweite Schicht enthält die Abtast- und Leseschaltungen, die unter Verwendung der SOI-CMOS-Technologie implementiert sind. In den verbleibenden fünf "Etagen" befanden sich Analog-Digital-Wandler (64 Teile, 12 Bit, Pipeline), eine Synchronisationsschaltung, ein Adressdecoder, eine Schnittstelle und andere Hilfseinheiten. Der Sensor ist mit einem I2C-Bus und zwei 12-Bit-LVDS-Schnittstellen mit einer Bandbreite von 512 Mbit / s ausgestattet.
Auf einer Konferenz über Halbleiterchips (ISSCC) sprachen Spezialisten des Massachusetts Institute of Technology über einen Bildsensor, der mithilfe der CMOS-Technologie unter Verwendung der volumetrischen Layouttechnologie hergestellt wurde.
Das Produkt, das gemäß den Normen von 0,35 Mikrometern hergestellt wurde, hat eine Auflösung von 1024 x 1024 Pixel (1 Megapixel). Forscher argumentieren, dass solche Produkte zu Arrays kombiniert werden können, um Sensoren mit höherer Auflösung zu erhalten. Zu den genannten Anwendungsbereichen zählen insbesondere Nachrichtendienste und Sicherheitssysteme.
Die Volumenstruktur des Sensors besteht aus sieben Schichten, die durch Zwischenschichtbindungen miteinander verbunden sind. Tatsächlich befinden sich die lichtempfindlichen Elemente, die Fotodioden sind, in der ersten Schicht. Durch Entfernen aller anderen Komponenten aus dieser Ebene konnten die Entwickler einen Füllfaktor für die nutzbare Fläche von bis zu 100% bereitstellen. Die zweite Schicht enthält die Abtast- und Leseschaltungen, die unter Verwendung der SOI-CMOS-Technologie implementiert sind. In den verbleibenden fünf "Etagen" befanden sich Analog-Digital-Wandler (64 Teile, 12 Bit, Pipeline), eine Synchronisationsschaltung, ein Adressdecoder, eine Schnittstelle und andere Hilfseinheiten. Der Sensor ist mit einem I2C-Bus und zwei 12-Bit-LVDS-Schnittstellen mit einer Bandbreite von 512 Mbit / s ausgestattet.
Original message
Создан сверхчуствительный объемный датчик изображения
На конференции по полупроводниковым микросхемам (ISSCC) специалисты из Массачусетского технологического института рассказали о датчике изображения, выполненном по технологии CMOS с применением технологии объемной компоновки.
Изделие, изготовленное с соблюдением норм 0,35 мкм, имеет разрешение 1024x1024 пикселей (1 Мп). Исследователи утверждают, что такие изделия можно объединять в массивы, получая датчики большего разрешения. В числе областей применения названо, в частности, разведывательное оборудование и охранные системы.
Объемная структура датчика сформирована из семи слоев, связанных между собой межслойными связями. Собственно, светочувствительные элементы, в роли которых выступают фотодиоды, находятся в первом слое. Удалив с этого слоя все остальные компоненты, разработчики смогли обеспечить коэффициент заполнения полезной площади до 100%. Во втором слое находятся цепи выборки и считывания, реализованные по технологии SOI-CMOS. На оставшихся пяти «этажах» разместились аналого-цифровые преобразователи (64 штуки, 12-разрядные, конвейеризованные), схема синхронизации, декодер адреса, интерфейсные и другие вспомогательные блоки. Датчик оснащен шиной I2C и двумя 12-разрядными интерфейсами LVDS, имеющими пропускную способность 512 Мбит/с.
На конференции по полупроводниковым микросхемам (ISSCC) специалисты из Массачусетского технологического института рассказали о датчике изображения, выполненном по технологии CMOS с применением технологии объемной компоновки.
Изделие, изготовленное с соблюдением норм 0,35 мкм, имеет разрешение 1024x1024 пикселей (1 Мп). Исследователи утверждают, что такие изделия можно объединять в массивы, получая датчики большего разрешения. В числе областей применения названо, в частности, разведывательное оборудование и охранные системы.
Объемная структура датчика сформирована из семи слоев, связанных между собой межслойными связями. Собственно, светочувствительные элементы, в роли которых выступают фотодиоды, находятся в первом слое. Удалив с этого слоя все остальные компоненты, разработчики смогли обеспечить коэффициент заполнения полезной площади до 100%. Во втором слое находятся цепи выборки и считывания, реализованные по технологии SOI-CMOS. На оставшихся пяти «этажах» разместились аналого-цифровые преобразователи (64 штуки, 12-разрядные, конвейеризованные), схема синхронизации, декодер адреса, интерфейсные и другие вспомогательные блоки. Датчик оснащен шиной I2C и двумя 12-разрядными интерфейсами LVDS, имеющими пропускную способность 512 Мбит/с.
: lol: