Sensor de imagen 3D súper sensible creado
En una conferencia sobre chips semiconductores (ISSCC), expertos del Instituto de Tecnología de Massachusetts hablaron sobre un sensor de imagen fabricado con tecnología CMOS que utiliza tecnología de diseño volumétrico.
El producto, fabricado de conformidad con las normas de 0,35 micras, tiene una resolución de 1024x1024 píxeles (1 megapíxel). Los investigadores sostienen que dichos productos se pueden combinar en matrices, obteniendo sensores de mayor resolución. Entre las áreas de aplicación denominadas, en particular, equipos de inteligencia y sistemas de seguridad.
La estructura volumétrica del sensor está formada por siete capas interconectadas por enlaces entre capas. En realidad, los elementos fotosensibles, que son fotodiodos, están en la primera capa. Al eliminar todos los demás componentes de esta capa, los desarrolladores pudieron proporcionar un factor de relleno de área utilizable de hasta el 100%. La segunda capa contiene los circuitos de muestreo y lectura implementados utilizando la tecnología SOI-CMOS. Los cinco "pisos" restantes albergaban convertidores analógico a digital (64 piezas, 12 bits, canalizados), un circuito de sincronización, un decodificador de direcciones, interfaz y otras unidades auxiliares. El sensor está equipado con un bus I2C y dos interfaces LVDS de 12 bits con un ancho de banda de 512 Mbps.
En una conferencia sobre chips semiconductores (ISSCC), expertos del Instituto de Tecnología de Massachusetts hablaron sobre un sensor de imagen fabricado con tecnología CMOS que utiliza tecnología de diseño volumétrico.
El producto, fabricado de conformidad con las normas de 0,35 micras, tiene una resolución de 1024x1024 píxeles (1 megapíxel). Los investigadores sostienen que dichos productos se pueden combinar en matrices, obteniendo sensores de mayor resolución. Entre las áreas de aplicación denominadas, en particular, equipos de inteligencia y sistemas de seguridad.
La estructura volumétrica del sensor está formada por siete capas interconectadas por enlaces entre capas. En realidad, los elementos fotosensibles, que son fotodiodos, están en la primera capa. Al eliminar todos los demás componentes de esta capa, los desarrolladores pudieron proporcionar un factor de relleno de área utilizable de hasta el 100%. La segunda capa contiene los circuitos de muestreo y lectura implementados utilizando la tecnología SOI-CMOS. Los cinco "pisos" restantes albergaban convertidores analógico a digital (64 piezas, 12 bits, canalizados), un circuito de sincronización, un decodificador de direcciones, interfaz y otras unidades auxiliares. El sensor está equipado con un bus I2C y dos interfaces LVDS de 12 bits con un ancho de banda de 512 Mbps.
Original message
Создан сверхчуствительный объемный датчик изображения
На конференции по полупроводниковым микросхемам (ISSCC) специалисты из Массачусетского технологического института рассказали о датчике изображения, выполненном по технологии CMOS с применением технологии объемной компоновки.
Изделие, изготовленное с соблюдением норм 0,35 мкм, имеет разрешение 1024x1024 пикселей (1 Мп). Исследователи утверждают, что такие изделия можно объединять в массивы, получая датчики большего разрешения. В числе областей применения названо, в частности, разведывательное оборудование и охранные системы.
Объемная структура датчика сформирована из семи слоев, связанных между собой межслойными связями. Собственно, светочувствительные элементы, в роли которых выступают фотодиоды, находятся в первом слое. Удалив с этого слоя все остальные компоненты, разработчики смогли обеспечить коэффициент заполнения полезной площади до 100%. Во втором слое находятся цепи выборки и считывания, реализованные по технологии SOI-CMOS. На оставшихся пяти «этажах» разместились аналого-цифровые преобразователи (64 штуки, 12-разрядные, конвейеризованные), схема синхронизации, декодер адреса, интерфейсные и другие вспомогательные блоки. Датчик оснащен шиной I2C и двумя 12-разрядными интерфейсами LVDS, имеющими пропускную способность 512 Мбит/с.
На конференции по полупроводниковым микросхемам (ISSCC) специалисты из Массачусетского технологического института рассказали о датчике изображения, выполненном по технологии CMOS с применением технологии объемной компоновки.
Изделие, изготовленное с соблюдением норм 0,35 мкм, имеет разрешение 1024x1024 пикселей (1 Мп). Исследователи утверждают, что такие изделия можно объединять в массивы, получая датчики большего разрешения. В числе областей применения названо, в частности, разведывательное оборудование и охранные системы.
Объемная структура датчика сформирована из семи слоев, связанных между собой межслойными связями. Собственно, светочувствительные элементы, в роли которых выступают фотодиоды, находятся в первом слое. Удалив с этого слоя все остальные компоненты, разработчики смогли обеспечить коэффициент заполнения полезной площади до 100%. Во втором слое находятся цепи выборки и считывания, реализованные по технологии SOI-CMOS. На оставшихся пяти «этажах» разместились аналого-цифровые преобразователи (64 штуки, 12-разрядные, конвейеризованные), схема синхронизации, декодер адреса, интерфейсные и другие вспомогательные блоки. Датчик оснащен шиной I2C и двумя 12-разрядными интерфейсами LVDS, имеющими пропускную способность 512 Мбит/с.
: lol: