Création d'un capteur d'image 3D super sensible
Lors d'une conférence sur les puces à semi-conducteurs (ISSCC), des spécialistes du Massachusetts Institute of Technology ont parlé d'un capteur d'image fabriqué à l'aide de la technologie CMOS utilisant la technologie de disposition volumétrique.
Le produit, fabriqué dans le respect des normes de 0,35 microns, a une résolution de 1024x1024 pixels (1 mégapixel). Les chercheurs soutiennent que ces produits peuvent être combinés en réseaux, obtenant des capteurs de résolution plus élevée. Parmi les domaines d'application cités, en particulier, les équipements de renseignement et les systèmes de sécurité.
La structure volumétrique du capteur est formée de sept couches interconnectées par des liaisons intercouches. En fait, les éléments photosensibles, qui sont des photodiodes, sont dans la première couche. En supprimant tous les autres composants de cette couche, les développeurs ont pu fournir un facteur de remplissage de zone utilisable allant jusqu'à 100%. La deuxième couche contient les circuits d'échantillonnage et de lecture mis en œuvre à l'aide de la technologie SOI-CMOS. Les cinq "étages" restants abritaient des convertisseurs analogique-numérique (64 pièces, 12 bits, en pipeline), un circuit de synchronisation, un décodeur d'adresse, une interface et d'autres unités auxiliaires. Le capteur est équipé d'un bus I2C et de deux interfaces LVDS 12 bits avec une bande passante de 512 Mbps.
Lors d'une conférence sur les puces à semi-conducteurs (ISSCC), des spécialistes du Massachusetts Institute of Technology ont parlé d'un capteur d'image fabriqué à l'aide de la technologie CMOS utilisant la technologie de disposition volumétrique.
Le produit, fabriqué dans le respect des normes de 0,35 microns, a une résolution de 1024x1024 pixels (1 mégapixel). Les chercheurs soutiennent que ces produits peuvent être combinés en réseaux, obtenant des capteurs de résolution plus élevée. Parmi les domaines d'application cités, en particulier, les équipements de renseignement et les systèmes de sécurité.
La structure volumétrique du capteur est formée de sept couches interconnectées par des liaisons intercouches. En fait, les éléments photosensibles, qui sont des photodiodes, sont dans la première couche. En supprimant tous les autres composants de cette couche, les développeurs ont pu fournir un facteur de remplissage de zone utilisable allant jusqu'à 100%. La deuxième couche contient les circuits d'échantillonnage et de lecture mis en œuvre à l'aide de la technologie SOI-CMOS. Les cinq "étages" restants abritaient des convertisseurs analogique-numérique (64 pièces, 12 bits, en pipeline), un circuit de synchronisation, un décodeur d'adresse, une interface et d'autres unités auxiliaires. Le capteur est équipé d'un bus I2C et de deux interfaces LVDS 12 bits avec une bande passante de 512 Mbps.
Original message
Создан сверхчуствительный объемный датчик изображения
На конференции по полупроводниковым микросхемам (ISSCC) специалисты из Массачусетского технологического института рассказали о датчике изображения, выполненном по технологии CMOS с применением технологии объемной компоновки.
Изделие, изготовленное с соблюдением норм 0,35 мкм, имеет разрешение 1024x1024 пикселей (1 Мп). Исследователи утверждают, что такие изделия можно объединять в массивы, получая датчики большего разрешения. В числе областей применения названо, в частности, разведывательное оборудование и охранные системы.
Объемная структура датчика сформирована из семи слоев, связанных между собой межслойными связями. Собственно, светочувствительные элементы, в роли которых выступают фотодиоды, находятся в первом слое. Удалив с этого слоя все остальные компоненты, разработчики смогли обеспечить коэффициент заполнения полезной площади до 100%. Во втором слое находятся цепи выборки и считывания, реализованные по технологии SOI-CMOS. На оставшихся пяти «этажах» разместились аналого-цифровые преобразователи (64 штуки, 12-разрядные, конвейеризованные), схема синхронизации, декодер адреса, интерфейсные и другие вспомогательные блоки. Датчик оснащен шиной I2C и двумя 12-разрядными интерфейсами LVDS, имеющими пропускную способность 512 Мбит/с.
На конференции по полупроводниковым микросхемам (ISSCC) специалисты из Массачусетского технологического института рассказали о датчике изображения, выполненном по технологии CMOS с применением технологии объемной компоновки.
Изделие, изготовленное с соблюдением норм 0,35 мкм, имеет разрешение 1024x1024 пикселей (1 Мп). Исследователи утверждают, что такие изделия можно объединять в массивы, получая датчики большего разрешения. В числе областей применения названо, в частности, разведывательное оборудование и охранные системы.
Объемная структура датчика сформирована из семи слоев, связанных между собой межслойными связями. Собственно, светочувствительные элементы, в роли которых выступают фотодиоды, находятся в первом слое. Удалив с этого слоя все остальные компоненты, разработчики смогли обеспечить коэффициент заполнения полезной площади до 100%. Во втором слое находятся цепи выборки и считывания, реализованные по технологии SOI-CMOS. На оставшихся пяти «этажах» разместились аналого-цифровые преобразователи (64 штуки, 12-разрядные, конвейеризованные), схема синхронизации, декодер адреса, интерфейсные и другие вспомогательные блоки. Датчик оснащен шиной I2C и двумя 12-разрядными интерфейсами LVDS, имеющими пропускную способность 512 Мбит/с.
: lol: