Super Sensitive 3D Image Sensor Created
At a conference on semiconductor chips (ISSCC), specialists from the Massachusetts Institute of Technology talked about an image sensor made using CMOS technology using volumetric layout technology.
The product, made in compliance with the norms of 0.35 microns, has a resolution of 1024x1024 pixels (1 megapixel). Researchers argue that such products can be combined into arrays, obtaining sensors of higher resolution. Among the areas of application named, in particular, intelligence equipment and security systems.
The volumetric structure of the sensor is formed of seven layers interconnected by interlayer bonds. Actually, the photosensitive elements, which are photodiodes, are in the first layer. Removing all other components from this layer, the developers were able to provide a usable area fill factor of up to 100%. The second layer contains the sampling and reading circuits implemented using SOI-CMOS technology. The remaining five "floors" housed analog-to-digital converters (64 pieces, 12-bit, pipelined), a synchronization circuit, an address decoder, interface and other auxiliary units. The sensor is equipped with an I2C bus and two 12-bit LVDS interfaces with a bandwidth of 512 Mbps.
At a conference on semiconductor chips (ISSCC), specialists from the Massachusetts Institute of Technology talked about an image sensor made using CMOS technology using volumetric layout technology.
The product, made in compliance with the norms of 0.35 microns, has a resolution of 1024x1024 pixels (1 megapixel). Researchers argue that such products can be combined into arrays, obtaining sensors of higher resolution. Among the areas of application named, in particular, intelligence equipment and security systems.
The volumetric structure of the sensor is formed of seven layers interconnected by interlayer bonds. Actually, the photosensitive elements, which are photodiodes, are in the first layer. Removing all other components from this layer, the developers were able to provide a usable area fill factor of up to 100%. The second layer contains the sampling and reading circuits implemented using SOI-CMOS technology. The remaining five "floors" housed analog-to-digital converters (64 pieces, 12-bit, pipelined), a synchronization circuit, an address decoder, interface and other auxiliary units. The sensor is equipped with an I2C bus and two 12-bit LVDS interfaces with a bandwidth of 512 Mbps.
Original message
Создан сверхчуствительный объемный датчик изображения
На конференции по полупроводниковым микросхемам (ISSCC) специалисты из Массачусетского технологического института рассказали о датчике изображения, выполненном по технологии CMOS с применением технологии объемной компоновки.
Изделие, изготовленное с соблюдением норм 0,35 мкм, имеет разрешение 1024x1024 пикселей (1 Мп). Исследователи утверждают, что такие изделия можно объединять в массивы, получая датчики большего разрешения. В числе областей применения названо, в частности, разведывательное оборудование и охранные системы.
Объемная структура датчика сформирована из семи слоев, связанных между собой межслойными связями. Собственно, светочувствительные элементы, в роли которых выступают фотодиоды, находятся в первом слое. Удалив с этого слоя все остальные компоненты, разработчики смогли обеспечить коэффициент заполнения полезной площади до 100%. Во втором слое находятся цепи выборки и считывания, реализованные по технологии SOI-CMOS. На оставшихся пяти «этажах» разместились аналого-цифровые преобразователи (64 штуки, 12-разрядные, конвейеризованные), схема синхронизации, декодер адреса, интерфейсные и другие вспомогательные блоки. Датчик оснащен шиной I2C и двумя 12-разрядными интерфейсами LVDS, имеющими пропускную способность 512 Мбит/с.
На конференции по полупроводниковым микросхемам (ISSCC) специалисты из Массачусетского технологического института рассказали о датчике изображения, выполненном по технологии CMOS с применением технологии объемной компоновки.
Изделие, изготовленное с соблюдением норм 0,35 мкм, имеет разрешение 1024x1024 пикселей (1 Мп). Исследователи утверждают, что такие изделия можно объединять в массивы, получая датчики большего разрешения. В числе областей применения названо, в частности, разведывательное оборудование и охранные системы.
Объемная структура датчика сформирована из семи слоев, связанных между собой межслойными связями. Собственно, светочувствительные элементы, в роли которых выступают фотодиоды, находятся в первом слое. Удалив с этого слоя все остальные компоненты, разработчики смогли обеспечить коэффициент заполнения полезной площади до 100%. Во втором слое находятся цепи выборки и считывания, реализованные по технологии SOI-CMOS. На оставшихся пяти «этажах» разместились аналого-цифровые преобразователи (64 штуки, 12-разрядные, конвейеризованные), схема синхронизации, декодер адреса, интерфейсные и другие вспомогательные блоки. Датчик оснащен шиной I2C и двумя 12-разрядными интерфейсами LVDS, имеющими пропускную способность 512 Мбит/с.
: lol: